乐发vll通常我们在选择真空泵时多根据实际工况需要的真空度来选择真空泵的类型，依据抽气量来选择真空泵的抽速的。当然还有其他因素影响真空泵的应用，比如说真空电子技术领域里还应考虑工艺环境的清洁情况，实际工艺过程以及泵浦里面的反应气体和反应产物的颗粒。

好凯德无油真空泵乐发vll应用较为广泛的两个领域有半导体以及LCD制造，用于无反应气体抽出的场合有:上、下卸料室，转移室，液晶注入，Color Filter等，雅之雷德机电科技用于有反应气体抽出的场合有:离子注入，刻蚀，抛光，LPCVD, PECVD等。在CVD生产中要求真空泵抽出反应生成物和NF3，C2F6， HCl等清洗气体。

一般工艺中的应用：

(1)N2清洗 N2清洗的目的是稀释真空泵内部的反应气体;为泵的转轴提供密封;防止真空泵排气口渗入空气及水分。N:清洗的气体量可根据需要调整。

乐发vll(2)配冷阱 冷阱通常是装在真空泵的吸气口及排气口位置，目的是减少反应生成物渗入到泵的量，减轻真空泵的负担;减轻废气处理的负担。

(3)温度控制 根据工艺过程反应生成物的不同，为防止其附着在泵内，对无油机械真空的排气口加热，或对上位泵实行温度控制。

(4)在线清洗 在用LPCVD法制备氯化膜的过程中，会生出副产物氯化铵(NH4Cl)，氯化铵能溶于水。利用这一特性，对单级立式无油机械真空泵可进行在线自动清洗，不必将泵拆离生产线就能用洗液做清洗工作。

CVD工艺中的应用

利用LPCVD工艺制备绝缘膜或半导体膜时，有机矽烷系统(TEOS)原料呈液体状态，TEOS与反应副产物混合，形成凝胶状而堵塞真空泵排气口，这时在排气口应加冷阱。

利用PECVD工艺制备绝缘膜时，TEOS的反应副产物以白色粉末状通过真空泵，因此应选用非接触型真空泵。清洗气体使用NF3、C2F6等与上述反应副产物结合，再形成另一种副产物，对真空泵有不良影响，此时可利用降低真空泵温度的方法解决。

干蚀刻工艺中的应用

乐发vll蚀刻工艺可分为铝质金属蚀刻、多晶矽类的蚀刻、氧化膜的蚀刻等，金属类的蚀刻会产生大量反应副产物，对真空泵的负荷会很大。

多晶矽膜、氧化矽膜等的蚀刻使SF6等气体，反应副产物较少，升华温度较低，可以气态形式排出泵外。铝质金属的蚀刻则使用三氯化硼等氯化气体，会产生大量的四氯化铝，升华温度高，很容易附着在温度低的部位，未发生反应的气体又多半属于腐蚀性较强的。在钦的蚀刻中常使用氟化系气体，其特性类似于氯化系气体。

钛蚀刻生产中多用到氟、氯、溟化物系等腐蚀性较强的气体，这些气体与水结合变成强酸，有强烈腐蚀性。因此，要求无油真空泵乐发vll和管道材料具有高度耐腐蚀性。